SIZ710DT-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 6-PowerPair?
数量:
 19919  
说明:
 MOSFET 20V 16A / 35A N-CH MOSFET
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SIZ710DT-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIZ710DT-GE3
功率耗散:27 W, 48 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:11.5 nC, 38 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :45 S, 85 S
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAIR 6 x 3.7
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0055 Ohms, 0.0027 Ohms
漏极连续电流:16 A, 35 A
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SIZ710DT-T1-GE3的详细信息,包括SIZ710DT-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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