SIZ710DT-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-PowerPair?
数量：: 19919
说明：: MOSFET 20V 16A / 35A N-CH MOSFET

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中文参数如下：

零件号别名：SIZ710DT-GE3
功率耗散：27 W, 48 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：11.5 nC, 38 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：45 S, 85 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAIR 6 x 3.7
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0055 Ohms, 0.0027 Ohms
漏极连续电流：16 A, 35 A
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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