| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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IRFU9110 |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
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MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFU9110PBF |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
1973 |
MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFU9120 |
Vishay/Siliconix
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TO-251 |
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MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFU9120_R4941 |
Fairchild Semiconductor
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MOSFET TO-251 |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... |
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IRFU9120NPBF |
International Rectifier
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IPAK |
1212 |
MOSFET MOSFT P-Ch -100V -6.5A 480mOhm 18nC |
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| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：20 ... |
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IRFU9120PBF |
Vishay/Siliconix
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TO-251 |
3263 |
MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFU9210 |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
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MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFU9210PBF |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
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MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFU9214 |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
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MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFU9214PBF |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
2778 |
MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFU9220 |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
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MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFU9220PBF |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
4179 |
MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFU9310 |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
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MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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|
IRFU9310PBF |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
3297 |
MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... |
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IRFUC20 |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
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MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFUC20PBF |
Vishay/Siliconix
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IPAK |
5276 |
MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... |
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IRFW510ATM |
Fairchild Semiconductor
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TO-263 |
160 |
MOSFET |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... |
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IRFW520ATM |
Fairchild Semiconductor
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TO-263 |
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MOSFET 100V N-Channel A-FET |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... |
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IRFW530ATM |
Fairchild Semiconductor
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TO-263 |
|
MOSFET 100V N-Channel A-FET |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... |
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IRFW540ATM |
Fairchild Semiconductor
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TO-263 |
|
MOSFET 100V N-Channel A-FET |
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| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... |
