IRFW510ATM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263
数量:
 5767  
说明:
 MOSFET
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IRFW510ATM-TO-263图片

IRFW510ATM PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:28 ns
工厂包装数量:800
上升时间:14 ns
功率耗散:3.8 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:18 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.4 Ohms
漏极连续电流:5.6 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

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