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SIZ902DT-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-PowerPair?（6x5）
数量：: 8379
说明：: MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V

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SIZ902DT-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIZ902DT-GE3
典型关闭延迟时间：20 nS, 35 nS
上升时间：12 nS, 10 nS
功率耗散：66 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：6.8 nC, 21 nC
下降时间：10 nS, 10 nS
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAIR-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.012 Ohms at 10 V, 0.0064 Ohms at 10 V
漏极连续电流：16 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ902DT-T1-GE3的详细信息，包括SIZ902DT-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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