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SIZ910DT-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-PowerPair?（6x5）
数量：: 8397
说明：: MOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET

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SIZ910DT-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIZ910DT-GE3
上升时间：25 ns, 35 ns
功率耗散：4.6 W, 5.2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：94 S, 140 S
下降时间：10 ns, 12 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAIR 6 x 5
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0058 Ohms, 0.003 Ohms
漏极连续电流：22 A, 32 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ910DT-T1-GE3的详细信息，包括SIZ910DT-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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