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SIZ916DT-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-PowerPair?（6x5）
数量：: 8406
说明：: MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

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SIZ916DT-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23 ns, 66 ns
商标名：TrenchFET Gen IV
上升时间：20 ns, 83 ns
功率耗散：22.7 W, 100 W
栅极电荷 Qg：7.2 nC, 45 nC
下降时间：5 ns, 10 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAIR 6 x 5
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.3 mOhms at 10 V
漏极连续电流：16 A, 40 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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