首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SIZ920DT-T1-GE3

SIZ920DT-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-PowerPair?（6x5）
数量：
 8424  
说明：
 MOSFET 30V 40A 100W 7.1mohm @ 10V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SIZ920DT-T1-GE3-8-PowerPair?（6x5）图片

SIZ920DT-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SIZ920DT-GE3
功率耗散：100 W
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAIR 6x5
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0071 Ohms
漏极连续电流：40 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ920DT-T1-GE3的详细信息，包括SIZ920DT-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB100N04S303ATMA1
  • SQJ138ELP-T1_GE3
  • SI7157DP-T1-GE3
  • NVMFS5C456NT1G
  • SPW15N60CFDFKSA1
  • RJK0853DPB-00#J5
  • NP45N06PUK-E1-AY
  • SIR184LDP-T1-RE3
  • RD3L150SNFRATL
  • NVTFS5C454NLWFTAG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC