点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
零件号别名:SIZ904DT-GE3
典型关闭延迟时间:15 nS, 14 nS
上升时间:10 nS, 9 nS
功率耗散:33 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:3.8 nC, 7.3 nC
下降时间:10 nS, 8 nS
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAIR-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.024 Ohms at 10 V, 0.0135 Ohms at 10 V
漏极连续电流:16 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIZ904DT-T1-GE3的详细信息,包括SIZ904DT-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!