SIZ730DT-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-PowerPair?
数量：: 2776
说明：: MOSFET 30V 16/35A 27/48W 9.3/3.9mohm @ 10V

一、本商品被浏览0次.

SIZ730DT-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SIZ730DT-GE3
上升时间：15 ns
功率耗散：3.9 W, 4.6 W
栅极电荷 Qg：15.6 nC, 43 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：48 S, 80 S
下降时间：7 ns, 10 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAIR
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0075 Ohms, 0.0032 Ohms
漏极连续电流：12.9 A, 26.4 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIZ730DT-T1-GE3的详细信息，包括SIZ730DT-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：