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SIZ900DT-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 6-PowerPair?
数量：
 8370  
说明：
 MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V
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SIZ900DT-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIZ900DT-GE3
功率耗散：48 W, 100 W
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAIR
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Common Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.9 mOhms, 3.2 mOhms
漏极连续电流：24 A, 28 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ900DT-T1-GE3的详细信息，包括SIZ900DT-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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