SIZ728DT-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-PowerPair?
数量：: 8343
说明：: MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET

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中文参数如下：

零件号别名：SIZ728DT-GE3
上升时间：15 ns, 18 ns
功率耗散：2.5 W, 3 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：37 S, 80 S
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAIR 6 x 3.7
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0077 Ohms, 0.0035 Ohms
漏极连续电流：14.2 A, 23 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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