SIZ700DT-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-PowerPair?
数量：: 4923
说明：: MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V

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中文参数如下：

零件号别名：SIZ700DT-GE3
典型关闭延迟时间：25 ns, 47 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：9 ns, 8 ns
功率耗散：2.36 W, 2.8 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：60 S, 100 S
下降时间：8 ns, 10 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAIR
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.007 Ohms, 0.0047 Ohms
漏极连续电流：16 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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