SIZ300DT-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-PowerPair?
数量：: 8333
说明：: MOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V

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中文参数如下：

零件号别名：SIZ300DT-GE3
上升时间：45 ns, 80 ns
功率耗散：3.7 W, 4.2 W
栅极电荷 Qg：7.4 nC, 14.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：30 S
下降时间：10 ns, 40 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAIR
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.02 Ohms, 0.009 Ohms
漏极连续电流：9.8 A, 14.9 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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