SIHG32N50D-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-247AC
数量：: 5445
说明：: MOSFET 500V 150mOhm@10V 30A N-Ch D-SRS

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SIHG32N50D-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：58 ns
上升时间：75 ns
功率耗散：390 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：96 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：11 S
下降时间：55 ns
封装形式：TO-247AC
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：150 mOhms at 10 V
漏极连续电流：30 A
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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