SIHG33N60E-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-247AC
数量：: 4950
说明：: MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS

一、本商品被浏览0次.

SIHG33N60E-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：150 ns
商标名：E-Series
上升时间：90 ns
功率耗散：278 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：150 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：11 S
下降时间：80 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-247AC-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：99 mOhms at 10 V
漏极连续电流：33 A
闸/源击穿电压：4 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG33N60E-GE3的详细信息，包括SIHG33N60E-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：