SIHG73N60E-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-247-3
数量：: 4995
说明：: MOSFET 650 Volts 73 Amps 520 Watts

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SIHG73N60E-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：290 ns
上升时间：158 ns
功率耗散：520 W
栅极电荷 Qg：362 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降时间：180 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-247AC
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.039 Ohms
漏极连续电流：73 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG73N60E-E3的详细信息，包括SIHG73N60E-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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