SIHG73N60E-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-247AC
数量：: 5004
说明：: MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS

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SIHG73N60E-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：520 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-247AC-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：39 mOhms at 10 V
漏极连续电流：73 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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