SQJ886EP-T1_BE3

厂家:
  Vishay Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8
数量:
 5085  
说明:
 N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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SQJ886EP-T1_BE3 PDF参数资料

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中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):55W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2922 pF @ 20 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):65 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 15.3A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc)
漏源电压(Vdss):40 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Vishay Siliconix

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