SQJ962EP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8 双
数量:
 8820  
说明:
 MOSFET 60V 8A 25W
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SQJ962EP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8 双图片

SQJ962EP-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SQJ962EP-GE3
典型关闭延迟时间:16 ns
上升时间:11 ns
功率耗散:25 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:8.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降时间:6 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8L
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.06 Ohms
漏极连续电流:8 A
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQJ962EP-T1-GE3的详细信息,包括SQJ962EP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC