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中文参数如下:
零件号别名:SQJ962EP-GE3
典型关闭延迟时间:16 ns
上升时间:11 ns
功率耗散:25 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:8.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降时间:6 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8L
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.06 Ohms
漏极连续电流:8 A
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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