SQJ960EP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK SO-8L Dual
数量:
 8811  
说明:
 MOSFET 60V 8A 34W
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SQJ960EP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SQJ960EP-GE3
典型关闭延迟时间:19 ns
上升时间:8 ns
功率耗散:34 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:13 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :16 S
下降时间:7 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8L Dual
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Dual
漏极连续电流:8 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQJ960EP-T1-GE3的详细信息,包括SQJ960EP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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