PSMN1R4-30YLDX

厂家：: Nexperia USA Inc.
封装：: LFPAK56，Power-SO8
数量：: 14551
说明：: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

一、本商品被浏览0次.

PSMN1R4-30YLDX PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：166W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3840 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：54.8 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.42 毫欧 @ 25A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
漏源电压（Vdss）：30 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Nexperia USA Inc.

以上是PSMN1R4-30YLDX的详细信息，包括PSMN1R4-30YLDX厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：