PSMN1R5-25YL,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: LFPAK56，Power-SO8
数量：: 2061
说明：: MOSFET N-CH TRENCHMOS Logic level FET

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PSMN1R5-25YL,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：72 ns
工厂包装数量：1500
上升时间：97 ns
功率耗散：109 W
下降时间：36 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-669 (LFPAK)
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.5 mOhms
漏极连续电流：100 A
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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