PSMN1R5-30YL,115

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 LFPAK56,Power-SO8
数量:
 3591  
说明:
 MOSFET N-CHAN 30V 100A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
PSMN1R5-30YL,115-LFPAK56,Power-SO8图片

PSMN1R5-30YL,115 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

工厂包装数量:1500
功率耗散:109 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:LFPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.5 mOhms
漏极连续电流:100 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PSMN1R5-30YL,115的详细信息,包括PSMN1R5-30YL,115厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC