SIHP17N60D-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220-3
数量：: 5085
说明：: MOSFET 600V 340mOhm@10V 17A N-Ch D-SRS

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SIHP17N60D-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：37 ns
上升时间：56 ns
功率耗散：277.8 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：45 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6.2 S
下降时间：30 ns
封装形式：TO-220AB-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：340 mOhms at 10 V
漏极连续电流：17 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHP17N60D-E3的详细信息，包括SIHP17N60D-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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