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中文参数如下:
上升时间:57 ns
功率耗散:278 W
栅极电荷 Qg:44 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :7.4 S
下降时间:37 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-220AB-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):170 mOhms at 10 V
漏极连续电流:25 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:400 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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