SIHP25N40D-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-220-3
数量:
 9953  
说明:
 MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS
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SIHP25N40D-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

上升时间:57 ns
功率耗散:278 W
栅极电荷 Qg:44 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :7.4 S
下降时间:37 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-220AB-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):170 mOhms at 10 V
漏极连续电流:25 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:400 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP25N40D-GE3的详细信息,包括SIHP25N40D-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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