SIHP6N40D-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-220-3
数量:
 5211  
说明:
 MOSFET 400V 1ohm@10V 6A N-Ch D-SRS
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SIHP6N40D-E3-TO-220-3图片

SIHP6N40D-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:104 W
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1 Ohms at 10 V
漏极连续电流:6 A
闸/源击穿电压:5 V
汲极/源极击穿电压:400 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP6N40D-E3的详细信息,包括SIHP6N40D-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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