SIHU5N50D-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
数量：: 5283
说明：: MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS

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SIHU5N50D-E3-TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA图片

SIHU5N50D-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIHU5N50D-GE3
功率耗散：104 W
包装形式：Bulk
封装形式：IPAK (TO-251)
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.5 Ohms at 10 V
漏极连续电流：5.3 A
闸/源击穿电压：5 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHU5N50D-E3的详细信息，包括SIHU5N50D-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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