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SIHW30N60E-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-3P-3 整包
数量：
 5487  
说明：
 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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SIHW30N60E-GE3-TO-3P-3 整包图片

SIHW30N60E-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：95 ns
商标名：E-Series
上升时间：65 ns
功率耗散：250 W
栅极电荷 Qg：130 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：5.4 S
下降时间：75 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-247AD
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：125 mOhms at 10 V
漏极连续电流：29 A
闸/源击穿电压：4 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHW30N60E-GE3的详细信息，包括SIHW30N60E-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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