SIHU5N80AE-GE3

厂家:
  Vishay Siliconix
封装:
 TO-251AA
数量:
 2574  
说明:
 MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA
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中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):62.5W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):321 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):16.5 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.35 欧姆 @ 1.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A(Tc)
漏源电压(Vdss):800 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Vishay Siliconix

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