SIHU3N50D-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-251AA
数量：: 5274
说明：: MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V

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SIHU3N50D-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIHU3N50D-E3
上升时间：9 ns
功率耗散：104 W
栅极电荷 Qg：6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1 S
下降时间：13 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-251
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.2 Ohms
漏极连续电流：3 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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