SIHU3N50D-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-251AA
数量:
 5274  
说明:
 MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V
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SIHU3N50D-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIHU3N50D-E3
上升时间:9 ns
功率耗散:104 W
栅极电荷 Qg:6 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1 S
下降时间:13 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-251
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.2 Ohms
漏极连续电流:3 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHU3N50D-GE3的详细信息,包括SIHU3N50D-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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