SIHS36N50D-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SUPER-247?（TO-274AA）
数量：: 5256
说明：: MOSFET 500V 130mOhm@10V 36A N-Ch D-SRS

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SIHS36N50D-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：79 ns
上升时间：89 ns
功率耗散：446 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：125 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12.8 S
下降时间：68 ns
封装形式：Super-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：130 mOhms at 10 V
漏极连续电流：36 A
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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