SIHP18N50C-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-220-3
数量:
 3238  
说明:
 MOSFET 560V 18A 223W 270mohm @ 10V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SIHP18N50C-E3-TO-220-3图片

SIHP18N50C-E3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:32 ns
上升时间:27 ns
功率耗散:223 W
栅极电荷 Qg:65 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :6.4 S
下降时间:44 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.225 Ohms
漏极连续电流:18 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP18N50C-E3的详细信息,包括SIHP18N50C-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC