SIHP18N50C-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220-3
数量：: 3238
说明：: MOSFET 560V 18A 223W 270mohm @ 10V

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SIHP18N50C-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：32 ns
上升时间：27 ns
功率耗散：223 W
栅极电荷 Qg：65 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6.4 S
下降时间：44 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.225 Ohms
漏极连续电流：18 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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