SIHP22N60E-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 -
数量:
 5121  
说明:
 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
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SIHP22N60E-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:59 ns
上升时间:68 ns
功率耗散:227 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:86 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :6.4 S
下降时间:54 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-220AB-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):180 mOhms at 10 V
漏极连续电流:21 A
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP22N60E-GE3的详细信息,包括SIHP22N60E-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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