SIHP22N60S-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220-3
数量：: 2250
说明：: MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-220

一、本商品被浏览0次.

SIHP22N60S-E3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：77 ns
上升时间：68 ns
功率耗散：250 W
栅极电荷 Qg：75 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：9.4 S
下降时间：59 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.16 Ohms
漏极连续电流：22 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHP22N60S-E3的详细信息，包括SIHP22N60S-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：