SIHP12N50C-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-220-3
数量:
 6309  
说明:
 MOSFET N-Channel 500V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SIHP12N50C-E3-TO-220-3图片

SIHP12N50C-E3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

功率耗散:208 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :3 S
包装形式:Reel
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 125 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.46 Ohms
漏极连续电流:12 A
闸/源击穿电压:500 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SIHP12N50C-E3的详细信息,包括SIHP12N50C-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC