IPB100N06S2L05ATMA2

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO263-3-2
数量:
 8874  
说明:
 MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPB100N06S2L05ATMA2-PG-TO263-3-2图片

IPB100N06S2L05ATMA2 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):300W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5660 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):230 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.4毫欧 @ 80A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
漏源电压(Vdss):55 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:最后售卖
包装:OptiMOS?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Infineon Technologies

以上是IPB100N06S2L05ATMA2的详细信息,包括IPB100N06S2L05ATMA2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC