首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPB100P03P3L-04

IPB100P03P3L-04

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263
数量：
 7092  
说明：
 MOSFET P-CH -30V -100A 4mOhms
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPB100P03P3L-04-TO-263图片

IPB100P03P3L-04 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：200 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：45 ns
功率耗散：200 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：180 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4 m Ohms
漏极连续电流：- 100 A
闸/源击穿电压：- 16 V, + 5 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB100P03P3L-04的详细信息，包括IPB100P03P3L-04厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB100N04S303ATMA1
  • SQJ138ELP-T1_GE3
  • SI7157DP-T1-GE3
  • NVMFS5C456NT1G
  • SPW15N60CFDFKSA1
  • RJK0853DPB-00#J5
  • NP45N06PUK-E1-AY
  • SIR184LDP-T1-RE3
  • RD3L150SNFRATL
  • NVTFS5C454NLWFTAG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC