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IPB100P03P3L-04

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263
数量：: 7092
说明：: MOSFET P-CH -30V -100A 4mOhms

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IPB100P03P3L-04 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：200 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：45 ns
功率耗散：200 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：180 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4 m Ohms
漏极连续电流：- 100 A
闸/源击穿电压：- 16 V, + 5 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB100P03P3L-04的详细信息，包括IPB100P03P3L-04厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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