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IPB108N15N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO263-3
数量：
 3751  
说明：
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPB108N15N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GXT SP000677862
典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：35 ns
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：41 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：94 S
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TO263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.8 mOhms
漏极连续电流：83 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB108N15N3 G的详细信息，包括IPB108N15N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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