IPB108N15N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO263-3
数量:
 3751  
说明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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中文参数如下:

零件号别名:IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GXT SP000677862
典型关闭延迟时间:32 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:35 ns
功率耗散:214 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:41 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :94 S
下降时间:9 ns
包装形式:Reel
封装形式:PG-TO263-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10.8 mOhms
漏极连续电流:83 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:150 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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