IPB107N20NAXT

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO263-3
数量:
 4788  
说明:
 MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
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IPB107N20NAXT PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPB107N20NA IPB107N20NAATMA1
典型关闭延迟时间:41 ns
上升时间:26 ns
功率耗散:300 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:65 nC
下降时间:11 ns
包装形式:Reel
封装形式:PG-TO263-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10.7 mOhms at 10 V
漏极连续电流:88 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB107N20NAXT的详细信息,包括IPB107N20NAXT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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