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IPB107N20NAXT

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-3
数量：: 4788
说明：: MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor

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IPB107N20NAXT PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB107N20NA IPB107N20NAATMA1
典型关闭延迟时间：41 ns
上升时间：26 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：65 nC
下降时间：11 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TO263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.7 mOhms at 10 V
漏极连续电流：88 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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