IPB100N06S3L-04

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 1017
说明：: MOSFET OptiMOS -T2 PWR TRAN 55V 100A

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IPB100N06S3L-04 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB100N06S3L04XT
典型关闭延迟时间：82 ns
上升时间：58 ns
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：55 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.5 m Ohms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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