SIHG47N60E-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-247-3
数量:
 5468  
说明:
 MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS
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SIHG47N60E-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:357 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:147 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :6.8 S
包装形式:Tube
封装形式:TO-247AC-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):64 mOhms at 10 V
漏极连续电流:47 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHG47N60E-E3的详细信息,包括SIHG47N60E-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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