SIHG47N60E-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-247-3
数量：: 5468
说明：: MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS

一、本商品被浏览0次.

SIHG47N60E-E3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

功率耗散：357 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：147 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6.8 S
包装形式：Tube
封装形式：TO-247AC-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：64 mOhms at 10 V
漏极连续电流：47 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG47N60E-E3的详细信息，包括SIHG47N60E-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：