| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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CSD17552Q3A | Texas Instruments | 8-SON（3.3x3.3） | MOSFET 30V N-Channel MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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CSD17552Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | 2,460 | MOSFET 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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CSD17553Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | 9,653 | MOSFET NCh NexFET Pwr MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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CSD17555Q5A | Texas Instruments | 8-VSONP（5x6） | MOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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CSD17559Q5 | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | 3,766 | MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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CSD18501Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：1... | ||||||
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CSD18502KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | 181 | MOSFET 40-V, N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 mO... | ||||||
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CSD18502Q5B | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | 1,650 | MOSFET 40-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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CSD18503KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | 285 | MOSFET 40V N-Ch NexFET Power MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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CSD18503Q5A | Texas Instruments | 8-VSONP（5x6） | MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：1... | ||||||
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CSD18504KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | 120 | MOSFET 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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CSD18504Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | 11,169 | MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：5... | ||||||
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CSD18531Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：1... | ||||||
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CSD18532KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | 4,115 | MOSFET 60-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.2 mO... | ||||||
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CSD18532Q5B | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | MOSFET 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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CSD18533KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | MOSFET 40V N-Chnl NxFT Pwr MSFT .. | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.9 mO... | ||||||
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CSD18533Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MSFT, CSD18533Q5 | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.5 mO... | ||||||
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CSD18534KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | 2,919 | MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.2 m... | ||||||
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CSD18534Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：... | ||||||
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CSD23201W10 | Texas Instruments | 4-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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