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中文参数如下:
商标名:NexFET
工厂包装数量:2500
功率耗散:3.1 W
包装形式:Reel
封装形式:SON 5 mm x 6 mm
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.4 mOhms
漏极连续电流:100 A
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments
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