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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:10.4 ns
商标名:NexFET
工厂包装数量:50
上升时间:4.8 ns
功率耗散:98 W
栅极电荷 Qg:19 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :100 S
下降时间:2.4 n
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):10.2 mOhms
漏极连续电流:100 A
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Texas Instruments
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