CSD18532Q5B

厂家：: Texas Instruments
封装：: 8-PowerTDFN
数量：: 1242
说明：: MOSFET 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

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CSD18532Q5B PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns
商标名：NexFET
上升时间：7.2 ns
功率耗散：3.2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：21 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：143 S
下降时间：3.1 ns
包装形式：Reel
封装形式：SON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 mOhms
漏极连续电流：172 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Texas Instruments

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