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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:24.2 ns
商标名:NexFET
工厂包装数量:50
上升时间:5.3 ns
功率耗散:216 W
栅极电荷 Qg:44 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :146 S
下降时间:5.6 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.2 mOhms
漏极连续电流:100 A
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Texas Instruments
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