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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:11.2 ns
商标名:NexFET
上升时间:5.2 ns
功率耗散:93 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:19 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :72 S
下降时间:4.2 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):8 mOhms
漏极连续电流:85 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Texas Instruments
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