CSD17559Q5

厂家：: Texas Instruments
封装：: 8-PowerTDFN
数量：: 4918
说明：: MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET

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CSD17559Q5 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：32 ns
商标名：NexFET
上升时间：41 ns
功率耗散：3.2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：39 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：235 S
下降时间：14 ns
包装形式：Reel
封装形式：SON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.5 mOhms
漏极连续电流：257 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Texas Instruments

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