![PDF](/static/img/pdf.gif)
点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
商标名:NexFET
工厂包装数量:2500
功率耗散:3.1 W
包装形式:Reel
封装形式:SON 5 mm x 6 mm
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.3 mOhms
漏极连续电流:100 A
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Texas Instruments
以上是CSD18501Q5A的详细信息,包括CSD18501Q5A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!