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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:11 ns
商标名:NexFET
上升时间:7.4 ns
功率耗散:2.6 W
栅极电荷 Qg:9 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :106 S
下降时间:3.4 ns
包装形式:Reel
封装形式:SON 3.3 x 3.3
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):6.5 mOhms
漏极连续电流:60 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Texas Instruments
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